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耐蚀Zn-Al合金材料的组合材料芯片方法优选
组合材料芯片技术 锌铝合金薄膜 耐腐蚀性能 离子束溅射
2010/1/13
应用组合材料芯片方法, 通过离子束溅射法制备了全组分范围的Zn-Al薄膜样品阵列. 沉积得到的多层薄膜经370 ℃扩散处理2 h形成合金薄膜. 通过扫描俄歇能谱仪(AES)、X射线衍射仪(XRD)及扫描电子显微镜(SEM)对样品的成分、结构和形貌进行表征. 结果显示, 在低温退火后, 合金薄膜成分均匀, 结晶良好, 表面致密. 材料芯片上的样品在0.1 mol·L-1氯化钠溶液中的极化电阻测试结...
微芯片上Ag2S电化学纳米开关的构筑及电学测量的初步研究
Ag2S 纳米开关 电化学 电沉积
2008/6/11
初步探索了利用电化学方法“自下而上”地构筑了Au/Ag/Ag2S-Au固体电化学纳米开关, 并确定了较适宜的开关工作条件. 小于1 nm的Ag2S-Au间隔是Ag2S开关器件的关键结构, 以保证电子的量子遂穿和间隔中Ag凸起的生长与收缩. 测量结果表明, Ag2S开关转换具有较好的可逆性和稳定性, 开关转换电流相差3个数量级以上.