搜索结果: 1-15 共查到“电子技术 p-GaN”相关记录23条 . 查询时间(0.062 秒)
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
氮化镓（GaN）器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域。相比于横向器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度、更好的动态特性、更佳的热管理及更高的晶圆利用率，近些年已取得了重要的进展。而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率器件更是吸引了国内外众多科研团队的...
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
苏州纳米所孙钱团队研制出国际首支1200V的硅衬底GaN基纵向功率器件（日）
孙钱 电子器件 高性能离子
2023/7/18
氮化镓（GaN）电子器件具有更高耐压，更快的开关频率，更小导通电阻等诸多优异的特性，在功率电子器件领域有着广泛的应用前景：从低功率段的消费电子领域，到中功率段的汽车电子领域，以及高功率段的工业电子领域，目前650V级的GaN基横向功率器件（如HEMT）已经广泛应用于消费类电子产品的快充设备、大数据中心的电源管理系统，而有望应用到电动汽车上的1200 V级器件是GaN功率电子器件领域的研究热点和难点...
近日，中国科学院微电子所刘新宇研究员团队以PEALD 沉积SiN作为栅介质，成功研制出高性能毫米波MIS-HEMT，并通过远程等离子体预处理（RPP）技术，在EC - ET > 0.4 eV条件下, 界面态密度达到了6×1011 cm-2 eV-1~2.1×1012 cm-2 eV-1，实现了低界面态密度，减小了器件的关态泄漏电流，保证了器件具有良好的阈值电压稳定性。与常规HEMT器件相比，MIS...
日前，东南大学电子科学与工程学院国家ASIC工程中心孙伟锋教授团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术上的最新研究成果成功发表在集成电路设计领域最高级别会议IEEE International Solid-State Circuits Conference (ISSCC)上。该研究成果为：“A 600V GaN Active Gate Driver with Dynamic Feedback Del...
近日，南科大深港微电子学院院长于洪宇教授团队在AlGaN/GaN HEMT器件研究中取得系列进展，相关成果分别在国际微电子器件权威期刊IEEE Electron Device Letters、IEEE Transactions on Electron Devices以及IOP Semiconductor Science and Technology 线上发表。
中国科学院苏州纳米所在增强型GaN HEMT器件研究方面取得新进展（图）
增强型 GaN HEMT器件 器件结构 刻蚀损伤 GaN
2017/2/16
由于GaN具有大禁带宽度、高电子迁移率、高击穿场强等优点，GaN HEMT成为新一代功率器件研究的热点。由于极化作用，AlGaN/GaN异质结界面会形成高浓度的二维电子气，浓度可达到1013/cm2量级，因此一般的GaN HEMT都是耗尽型器件。如何实现增强型GaN HEMT一直是该领域研究的难点，目前几种主要用来制备增强型器件的方案包括：p型栅、凹槽栅、F处理和Cascode结构。其中，p型栅的...
多层GaN外延片表面热应力分布及影响因素
热应力 氮化镓外延层 有限元分析 仿真
2016/12/17
为了研究蓝宝石/AlN/GaN外延片表面层热应力分布及影响因素，以直径d为Φ40 mm的外延片为研究对象，利用有限元分析法对其表面热应力分布进行了理论计算和仿真，验证了仿真模型的合理性。分析了外延片生长温度、蓝宝石衬底和AlN过渡层厚度对表面热应力的影响。结果显示：在1 200℃的生长温度下，外延片径向应力比轴向应力大一个量级；在径向（d<Φ32 mm）区域内的热应力分布比较均匀，热应力变化范围为...
质子辐照对场板AlGaN/GaN HEMT器件电特性的影响
AlGaN/GaN HEMT 质子辐照 辐射感生受主缺陷 辐射加固
2016/12/29
分别采用3MeV和10MeV的质子对GaN基HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行辐照.实验发现:低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流下降,跨导减小,阈值电压显著退化的结果.通过分析发现辐射感生受主缺陷引起的2DEG浓度降低是上述器件退化的主要原因.此外基于实验结果,采用辐射感生受主缺陷退化模型仿真并计算了HEMT...
Simulation of optically controlled GaN (Gallium Nitride) using analytical modeling of high frequency response and switching applications
Modeling analysis optical control gallium nitride ion dose ion energy ion range of parameters
2014/12/31
In this project, an analytical modeling of optically controlled Gallium Nitride has been presented here for an analysis of extrinsic and intrinsic parameters such as, gate capacitances including both ...
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统所召开（图）
先进工艺 研讨会 召开
2011/11/10
1月26日下午，应上海微系统所邀请，United Monolithic Semiconductors（UMS）工艺经理Eric Leclerc 和UMS（亚太区）销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持，近30人参加了会议。Xavier介绍了UMS的总体概况，UMS全球及中国区代工业务分布及潜在市场。据介绍，目前中国占领UMS流片代工业...
MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨会在上海微系统与信息技术研究所召开（图）
先进工艺 研讨会 召开
2011/11/29
2010年1月26日下午，应上海微系统与信息技术研究所邀请，United Monolithic Semiconductors（UMS）工艺经理Eric Leclerc 和UMS（亚太区）销售经理Xavier来所进行了“MMIC设计和GaAs/GaN先进工艺研讨”。会议由五室李凌云博士主持，近30人参加了会议。
中科院微电子所毫米波GaN功率器件研制成功（图）
中科院微电子所 毫米波GaN功率器件
2010/1/20
近日，毫米波GaN功率器件在中科院微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。
微电子所毫米波GaN功率器件研制成功
功率 器件
2011/11/4
近日，毫米波GaN功率器件在微电子研究所微波器件与集成电路研究室（四室）研制成功。该研究项目得到了国家基金委和相关部门的支持。毫米波GaN功率器件采用凹栅槽与T型栅结合的新结构，有效缩短了栅长，降低了寄生电容。其截止频率（fT）104.3GHz，最高振荡频率（fmax）达到160GHz。30G下MAG达到13.26dBm，并进行了30G下的功率测试，是国内目前已知相关研究中的最高频性能。