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In this report, we have overcome the drawback of surface roughness of metamorphic buffer layer by LP-MOCVD technique and have grown InP metamorphic buffer layers with various thickness on misoriented ...
An AlInP delta-doped schottky diode exhibiting negative differential resistance (NDR) behavior is demonstrated for the first time. The NDR characteristics with a peak to valley ratio of 5.5 and peak c...

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