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据IC Insight的2011年IC Market Drivers最新版本(11月公布)，全球智能手机芯片市场在2010-2014年的年均增长率CAGR达到20%。
2010年NAND闪存营收将创新纪录（图）
NAND闪存 营收 纪录
2011/10/31
预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2011年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。
美光NAND产品获HLDS全球首款具有板载储存的混合光驱采用.doc（图）
HLDS 全球 储存 混合光驱
2011/10/31
美光科技 (Micron Technology) 10 月27日宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案。此款采用美光 25nm NAND 技术的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量储存和可修改功能，是针对个人计算机、DVD 播放器和...
传东芝投资22亿美元扩大NAND闪存产能
投资 扩大 闪存 产能
2011/11/3
国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
提高Nand Flash性能的方法
Nand闪存 多片编程 擦除和写性能
2009/7/10
在嵌入式系统中，Nand Flash因具有写入速度快、密度大的特点，因此特别适合用作大容量数据存储。但是在系统处理一些大量的视频数据和其他高分辨率数据存储的时候，Nand Flash的擦除和写性能难以满足要求。分析并实现了一种利用多片编程来提高Nand Flash擦、写性能的方案。实验中采用4片编程技术，结果表明，该方案可以将Nand Flash的写速率提高75.60%，擦除速率提高74.95%。
产综研联合东京大学研制出采用强电介质NAND闪存单元
电介质 闪存单元 晶体管
2011/11/3
日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前的NAND闪存存储单元只能擦写1万次，且写入电压为20V。以往的NAND闪存只能微细化到30nm左右，而此次的存储单元技术还可以支持将来的20nm...
苹果欲下单亚洲代工厂 NAND型闪存大厂纷纷示好
亚洲 闪存 订单
2011/11/1
近期传出苹果(Apple)已向亚洲代工厂下订单，计划订制1,000万支升级版iPhone，下载速度较目前版本更快，在苹果订单激励下，包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等NAND型闪存(Flash)大厂频打出苹果(Apple)牌，企图用苹果已开始采购NAND Flash为由让跌价止住，然下游厂认为，苹果和NAND Flash厂将于4月进行大规模议价，但目前供...
东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存（图）
开发 纳米 工艺技术 闪存
2011/11/1
东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位，于今日宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）23.6讨论会上进行过详细报告。