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强脉冲X射线辐照Si-SiO2界面对C-V 和I-V特性曲线的影响
X射线 Si-SiO2界面 辐射损伤
2009/2/13
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照，测量了C-V曲线和I-V曲线。实验发现，经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照，使C-V曲线产生了正向漂移，这一点与低剂量率辐射结果不同；辐射后，感生I-V曲线产生畸变；特别地，从I-V曲线上还反映出强脉冲X射线辐照的总剂量效应造成电特性 参数明显退化，最后甚至失效。讨论了强脉冲X射线辐照对Si-SiO2界面产生损伤的机理，并对实验结果进行了...