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为进一步探究电子辐射GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池GaAs中间电池的热淬灭效应,对该子电池进行了温度及功率变化光致发光谱测量,分析了发光峰强度及其峰位的变化。利用Arrhenius方程对发光强度随温度的变化进行拟合,得到辐射引入GaAs中间电池非辐射复合中心的热激活能(0.96 eV)。通过分析10~300 K温度范围内发光强度的热淬灭效应,发现发光强度与激发功率的关系从线性关系逐渐转变为...
低能质子辐射会使电池产生较大的非电离能量损失,导致少数载流子寿命降低从而破坏GaInP/GaAs/Ge电池的电性能,其中尤以中间的GaAs子电池的衰减最严重。本文以卫星用主流GaInP/GaAs/Ge三结电池为研究对象,制备与三结电池中GaAs子电池相同尺寸结构和工艺的单结GaAs电池,以150 keV质子辐照后对其性能进行测试。测试结果表明,150 keV质子辐照后电池的量子效率衰减,且基区衰减...
实验研究了具有极快响应的SI-LECGaAs光电导辐射探测器的响应,测量它对皮秒级脉冲激光的时间响应及对532nm直流激光的灵敏度。实验结果表明:SI-LECGaAs光电导辐射探测器时间响应约为100ps,与探测器偏压无关,但受测试系统的影响较大;用中子辐照改性和改进工艺的方法可提高探测器的时间响应;探测器的直流激光响应与偏压则呈线性关系。
采用中子辐照过的GaAs材料做成了GaAs光电探测器,它具有良好的性能,时间响应快(约100ps)、灵敏度高(约10-19C/keV)、体积小。已被用于激光聚变实验中X射线角分布测量。

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