搜索结果: 1-10 共查到“材料科学 Monte Carlo”相关记录10条 . 查询时间(0.234 秒)
通过Monte Carlo方法研究了在磁场诱导下的双轴向列相液晶的Fréedericksz转变,在模拟的过程中采用了London色散力近似。考虑3种不同的排列方式,通过改变3个分子轴的磁化率和磁场方向,讨论了9种不同的Fréedericksz转变并分别给出了相应的阈值磁场,通过计算机的模拟实现了短轴u和v的转变,长轴w和短轴u的转变以及长轴w和短轴v的转变。模拟结果表明,在给定假设的情况下满足单一...
一种Monte Carlo仿真新算法及其对三维个体晶粒长大速率拓扑依赖
拓扑学 材料模型化 图像仿真
2008/11/21
通过建立一种新的三维晶粒组织及其演变的Ｍｏｎｔｅ Ｃａｒｌｏ可视化图像仿真算法, 验证了作者近年来理论导出的三维个体晶粒长大速率拓扑依赖性方程的正确性.
纯铜动态再结晶的Monte Carlo法模拟
Monte Carlo法 动态再结晶 纯铜 临界应变
2008/9/24
本文建立了一种基于能量判据的确定动态再结晶各个阶段临界应变的方法,并基于此种方法利用Monte Carlo(MC)法进行了纯铜动态再结晶的二维模拟,定量计算了变形引起的存储能与变形之间的关系,计算出了发生动态再结晶的临界应变.模拟结果表明,采用MC法可以揭示动态再结晶的形核生长过程与应变历史之间的关系,结合本文所建立的基于能量判据的确定动态再结晶各个阶段临界应变的方法,可以预测开始发生动态再结晶的...
一种改进的晶粒长大Monte Carlo模拟方法
晶粒长大 Monte Carlo模拟 晶粒长大指数
2008/8/21
简要回顾了晶粒长大理论并分析了现有Monte Carlo模拟方法的不足, 提出了一个“择
优转换”方法, 确保节点转换时晶界向其曲率中心移动, 以致模拟过程更接近物理基础, 避
免了重新形核的发生, 使模拟效率大大提高, 模拟的晶粒长大指数 达到0.478, 已接近
理论值, 组织形貌和实际材料正常晶粒长大组织基本一致.
二元非晶合金初晶型晶化的Monte--Carlo模拟
非晶合金 晶化 Monte--Carlo法
2008/8/20
使用Monte--Carlo模拟的方法模拟了二元非晶合金初晶型晶化的动力学过程, 模拟结果显示了初晶晶化相的半径随时间的平方根的变化关系, 与原子长程扩散控制型生长理论公式相符. 通过模拟晶化相的形态发现, 扩散参数与形核参数对晶化相偏聚度影响明显, 而生长参数对圆整度影响显著.
晶粒长大的Monte Carlo模拟方法——递归统计法测定晶粒度
递归统计 晶粒度 Monte Carlo方法 晶粒长大
2010/3/15
应用Monte Carlo(MC)法模拟在周期性边界条件下的晶粒长大行为。利用MC法模拟时，晶界处格点的迁移引起晶粒的长大，根据这一主要特征提出一种精确快速的测定晶粒度的新方法—递归统计法，然后采用递归统计方法测量晶粒度。结果表明，递归统计法测得的晶粒度比截点法的更精确，而且测量精确度不受模型的格点类型以及晶粒的尺寸、形状等的影响，测量速度比其他统计方法要快。
用Monte Carlo法模拟纯铜的静态再结晶
Monte Carlo法 静态再结晶 纯铜 临界应变
2007/10/26
文章摘要：
利用Monte Carlo(MC)法进行了纯铜静态再结晶的二维模拟。通过监测存储能量的变化历程发现，当初始存储能量较低的时候，静态再结晶是以非均匀形核（晶界形核）的方式进行的，当初始存储能量充分高的时候，静态再结晶是以均匀形核（晶内形核）的方式进行的。初始存储能量较高的时候，能量释放的速率要比初始存储能量较低的时候的速率高。确定了区分均匀形核和非...
焙烧过程晶粒生长的Monte Carlo模拟
晶粒生长 焙烧 Monte Carlo模拟
2010/3/12
基于Monte Carlo(MC)方法，根据晶粒生长机理建立改进的转换概率模型，在不同焙烧温度、焙烧时间和激活能条件下可实现晶粒生长过程结构演化的计算机模拟，对模拟和实验数据进行分析，结果表明：当晶粒生长指数为2.17时，模拟与实验具有较好的一致性，从而得出焙烧过程晶粒的生长动力学模型；该模型能够较好地解释焙烧过程晶粒的生长过程，对晶粒生长动力学研究等具有一定的指导意义。
有限元与Monte Carlo方法耦合的冷轧纯铝板再结晶模拟
铝板 Monte Carlo 有限元 再结晶 储能分布
2010/3/11
利用有限元软件ANSYS模拟的冷轧铝板应力场及其相应的储能场，在假设的介观非均匀储能场基础上，考虑冷轧铝板的宏观能量场的非均匀性，实现了金属变形的有限元方法与Monte Carlo 再结晶模拟方法的耦合，有效地模拟非均匀储能场基础上的冷轧铝板再结晶过程，结合现有的理论与实验结果，比较和验证了两个极限储能部位的介观结构拓扑组织和再结晶动力学参数，得到较为理想的结果。
根据紧束缚理论和Si(7 7 17)-2×1表面的原子结构模型,运用蒙特卡洛方法模拟蒸发沉积在Si(7 7 17)-2×1表面的Ag原子经2次退火自组装成纳米线的实验过程.模拟结果表明,退火温度及作为模板的硅表面排状结构对银纳米线的自组装有较大影响;在退火过程中,Ag原子沿Si(7 7 17)-2×1表面原子沟槽扩散,并吸附在该表面的四聚体链上形成一维纳米线,这与实验结果相符合.