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搜索结果: 1-3 共查到理学 CuInSe2相关记录3条 . 查询时间(0.046 秒)
In this paper, we report the effect of annealing time on the properties of copper indium diselenide CuInSe2 films. The CuInSe2 thin films have been grown at room temperature by electrochemical deposit...
采用电化学沉积法制备了太阳电池用CuInSe2薄膜. 利用循环伏安法(CV)、X射线能谱(EDS)和X射线衍射技术(XRD)研究了电沉积过程中CuInSe2的形成机理, 并研究了制备工艺对膜层成分、形貌和物相结构的影响. 研究结果表明, 铟进入固相是通过In3+受Cu3Se2诱导作用欠电势还原或者In3+与H2Se反应这两种途径实现; 先沉积的Cu3Se2与新生成的铟或铟硒化合物反应最后生成CuI...
摘要 用电沉积方法得到的CuInSe2薄膜在阴极还原H2O2时发现了周期性的电化学振荡现象, 并研究了极化电位对该振荡和行为的影响。循环伏安测试表明电流-电势曲线中存在"电流波", 电流突变区域具有负斜率性质。用交流阻抗法研究了振荡体系的阻抗变化, 发现在振荡电势区域体系存在负电阻和电感成分, 这反映出振荡机一是中可能存在吸附中间物和自催化反应。

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