搜索结果: 1-15 共查到“学术指南 电子束、离子束技术”相关记录18条 . 查询时间(3.375 秒)
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2014年科研项目。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2013年科研项目。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2012年科研项目。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2011年科研项目。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2010年科研项目。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2005年科研项目。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2011年度论文。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2010年度论文。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2009年度论文。
复旦大学应用离子束物理教育部重点实验室2008年科研项目。
La0.7 Sr0.3MnO3 外延膜缺陷性质的慢正电子束研究
2007/7/28
专著信息
书名
La0.7 Sr0.3MnO3 外延膜缺陷性质的慢正电子束研究
语种
中文
撰写或编译
作者
金绍伟,顾伟伟,周先意,吴文彬,翁惠民,朱长飞,叶邦角,韩荣典
第一作者单位
出版社
低温物理学报 V26(2) 2004 p95-100
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
2007/7/28
专著信息
书名
PECVD方法制备的金刚石膜的慢正电子束研究
语种
中文
撰写或编译
作者
徐燕,翁惠民,叶邦角,周海洋,朱晓东,王海云,彭成晓,周先意,韩荣典
第一作者单位
出版社
核技术
出版地
出版日期
年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
化合物半导体SiC的缺陷性质研究及慢正电子束装置改进
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
电子束蒸发二氧化硅膜在SiGE/Si HBT中的应用研究
语种
中文
撰写或编译
作者
邹德恕，陈建新
第一作者单位
刊物名称
半导体技术
页面
1996，2，42-44
出版日期
1996年
月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
SiGe/Si异质结超高速微电子和红外光电子的器件和集成
X射线掩模电子束制备图形过程中的数值研究
2007/7/28
期刊信息
篇名
X射线掩模电子束制备图形过程中的数值研究
语种
中文
撰写或编译
撰写
作者
王永坤,余建祖
第一作者单位
北京航空航天大学
刊物名称
微细加工技术
页面
vol.2，p.20-23,50
出版日期
2005年
2月
日
文章标识(ISSN)
1003-8213
相关项目
电子薄膜传热性能测量及分析研究