搜索结果: 1-15 共查到“知识要闻 电子技术”相关记录2772条 . 查询时间(3.328 秒)
中国科学院有机自旋电子器件磁响应信号调控研究获进展（图）
有机 电子 器件 信号
2025/2/22
2025年2月20日，中国科学院国家纳米科学中心研究员孙向南团队在有机自旋电子学研究方面取得进展。该团队基于电光补偿策略，实现了室温下有机自旋电子学器件磁响应信号的宽范围调控以及器件的多功能性应用。相关研究成果以Room-Temperature Organic Spintronic Devices with Wide Range Magnetocurrent Tuning and Multifun...
中国科学院理化所在可拉伸蓝相液晶弹性体激光器研究方面取得新进展（图）
弹性 激光器 电子 器件
2025/2/26
蓝相液晶（BPLC）是以双扭柱结构为基本组装单元形成的三维手性周期结构，展示了窄带隙、圆偏振性及可调谐性等独特而优异的光学性能，因而在超快响应显示器、可调谐激光器等先进光学器件领域展现出非凡的潜力。蓝相液晶弹性体（BPLCE）能有机结合BPLC的优异光学性能及弹性体的优良机械柔韧性，为柔性光电子器件发展提供了创新应用。特别是基于BPLCE的机械可调激光器，为柔性显示和信息传输提供了新的应用前景。然...
自组装单分子层（SAM）作为空穴传输层在高效率钙钛矿太阳能电池中得到广泛应用，通过自组装单分子层技术可显著提升钙钛矿太阳能电池性能和稳定性。然而，SAM在基底上的覆盖程度和分布不均匀限制了器件性能的进一步提升。
中国科学院上海分院宁波材料所联合国际团队制备出多层堆叠二维聚苯胺晶体，实现优异导电性（图）
材料 晶体 电子 器件
2025/2/19
导电聚合物是一类具有导电能力的有机聚合物，主要包括聚苯胺、聚噻吩和聚吡咯等，它们被认为是可能取代传统半导体和金属的一类有机材料。由于导电聚合物生成成本低、密度小、成膜性能好、机械柔韧性更高并且具备更广泛的化学功能性，有望成为制备下一代有机电子器件的核心材料。
2025年1月10日，西安电子科技大学集成电路学部在实现钙钛矿太阳能电池商业化上取得重要突破，研究成果以“Wafer-scale monolayerMoS2film integration for stable,efficient perovskite solar cells”为题，以合作作者单位在线发表于《科学》（Science）期刊上。其中集成电路学部苏杰副教授为共同第一作者，常晶晶教授为共同...
近日，我院杨树教授和龙世兵教授课题组在垂直型GaN功率晶体管研究方向取得进展，实现了具有高反型沟道迁移率的垂直型GaN沟槽栅MISFET，相关研究成果以“Achieving 205 cm2V-1s-1 Inversion Channel Mobility in 1.4 kV Vertical GaN-on-GaN MISFET With Nitride Gate Dielectric”为题在202...
西安电子科技大学83级校友马林研究员与师生分享复杂电子系统研究（图）
马林 电子系统 雷达探测
2025/2/5
为深入实施“立德树人工程”“时代新人铸魂工程”，弘扬科学家精神，巩固科研育人成效，雷达信号处理全国重点实验室邀请中国电子科技集团公司首席科学家、国家级创新团队负责人、全国创新争先奖章获得者、中国航天基金会钱学森杰出贡献奖获得者、83级校友马林研究员为师生带来了题为“复杂电子系统研究”的精彩报告。
中国科学院上海分院宁波材料所在有机自旋电子学领域取得进展（图）
材料 有机 电子
2025/1/11
作为自旋电子学的一个新兴分支，有机自旋电子学器件具有成本低、可溶液加工、重量轻、可化学裁剪等特点，它将有机分子独特的优点与自旋调控相结合，在带来新材料、新架构和新机制的同时，也为下一代高性能量子器件提供了新的研发路线。对自旋界面进行设计和优化是提高有机自旋阀器件性能的一个重要技术手段。在现阶段，调控自旋界面的主要方法是诸如化学工程、改变有机分子的种类等非原位技术，而对于自旋界面的原位、非破坏性调控...
中国科学院宁波材料所在有机自旋电子学领域取得进展（图）
有机 电子 器件
2025/1/16
作为自旋电子学的一个新兴分支，有机自旋电子学器件具有成本低、可溶液加工、重量轻、可化学裁剪等特点，它将有机分子独特的优点与自旋调控相结合，在带来新材料、新架构和新机制的同时，也为下一代高性能量子器件提供了新的研发路线。对自旋界面进行设计和优化是提高有机自旋阀器件性能的一个重要技术手段。在现阶段，调控自旋界面的主要方法是诸如化学工程、改变有机分子的种类等非原位技术，而对于自旋界面的原位、非破坏性调控...
中国科学院反式钙钛矿太阳能电池研究获进展（图）
钙钛矿 太阳能电池 器件
2025/1/5
尽管钙钛矿太阳能电池功率转换效率取得进展，但器件不稳定性仍是其商业化应用的障碍之一。这种不稳定性源于卤素离子尤其是碘离子（I⁻）的迁移。在光照和热应力作用下，I⁻发生迁移并转化为I₂，导致不可逆的降解和性能损失。因此，抑制钙钛矿太阳能电池器件I⁻迁移至关重要
中国科学院苏州纳米所张兴旺团队AM：全范德华超表面手性依赖激子光源（图）
张兴旺 激子 器件 纳米
2025/1/16
单层过渡金属硫化物(TMD)由于具备室温稳定激子，所以在激子发光器件方面有着广泛的应用前景。由于其表面无悬挂键，因此易于与其他材料所构成的纳米光学结构进行无键合的范德华异质集成。另一方面，多层TMD由于层间耦合效应弱，其紧束缚的层内激子使得即便在远大于激子跃迁波长处也具有较高的折射率(n> 4)。这种独特的高折射率特性有利于获得传统介电材料难以实现的纳米尺度光场强束缚。然而与单层TMD不同，多层T...
近日，陕西省电子学会第十二次会员代表大会在西安召开。大会审议通过了第十一届理事会工作报告、财务工作报告和学会章程，表决通过了会费标准和使用管理办法，选举产生了第十二届理事会、第一届监事会，副校长刘宏伟教授当选为陕西省电子学会第十二届理事会理事长。
中国科学院微电子研究所基于新型SiC复合衬底的低成本MOSFET取得重要进展（图）
复合 电子 器件
2025/1/14
2024年12月20日，微电子所高频高压中心刘新宇研究员团队与青禾晶元公司、南京电子器件研究所等团队合作，基于新型6英寸SiC复合衬底成功实现高性能低成本1200V SiC MOSFET。
磁性量子材料的缺陷工程及其局域量子态自旋的调控，有望构筑未来实用化的自旋量子器件，是目前凝聚态物理研究的热点领域之一。笼目晶格（kagome）材料具有独特的共顶点三角形二维网格，从而呈现几何阻挫、平带、狄拉克交点，范霍夫奇异点、拓扑能带以及子晶格量子干涉效应等特征，孕育了丰富的量子物态。近几年，具有笼目晶格Co3Sn层磁性金属Co3Sn2S2展现出了反常霍尔效应、拓扑表面态费米弧、手性异常负磁电阻...
中国科学院物理研究所磁近邻诱导的CaRuO3强自旋轨道耦合室温铁磁相（图）
耦合 器件 电子
2025/1/8
利用自旋轨道矩（SOT）将电荷流转换成自旋流从而实现电控磁是自旋电子学的核心问题。目前的SOT器件主要利用的是强自旋轨道耦合（SOC）非磁重金属材料的自旋霍尔效应。自旋霍尔效应要求电荷流传输方向、自旋流传输方向以及自旋极化方向满足相互正交的几何构型。该构型的限制使得对垂直磁矩进行翻转时必须施加额外的面内辅助磁场，从而导致了功耗的增加且制约了器件的小尺寸化。2024年12月16日的理论和实验研究均指...