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中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种SON型金属氧化物半导体场效应管器件的制备方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种压电感应式电子称重的测量电路及其装置
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种自动监测仿真及其并行化处理的方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：一种虚拟仿真系统中力觉反馈的计算方法
中国科学院深圳先进技术研究院专利：制备微米级分散体的集成芯片及其装置
本发明涉及一种基于低频噪声的GaN功率器件缺陷能级测试方法，该方法采用选择GaN功率器件的低频噪声待测参数；确定GaN功率器件低频噪声测试的偏置条件；获得不同温度下待测参数的噪声功率谱密度；提取不同温度下的产生‑复合(G‑R)噪声；获得不同温度下G‑R噪声的峰值频率；基于G‑R噪声峰值中心频率及温度建立Arrhenius方程；基于Arrhenius方...
中国科学院新疆理化技术研究所专利：一种电路级总剂量辐射效应仿真方法
中国科学院新疆理化技术研究所 专利 电路级 总剂量 辐射效应 仿真方法
2023/12/7
本发明涉及一种电路级总剂量辐射效应仿真方法，该方法包括晶体管偏置电压提取、晶体管平均偏置电压计算、晶体管辐射陷阱电荷计算、晶体管总剂量效应模型参数更新、电路总剂量辐射损伤仿真、电路总剂量辐射损伤时间连续反馈计算。该方法的理论基础是晶体管辐照偏置条件不同，总剂量辐射损伤特性不同，进而影响电路的总剂量辐射损伤。该方法的优势在于根据电路中晶体管的偏置状态，计算晶体管总剂量辐射损伤，实现电路总剂量辐射效应...
本发明涉及一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法，该方法包括总剂量效应关联工艺参数确定、晶体管总剂量辐照试验、晶体管电参数退化方程参数提取、不同工艺角晶体管总剂量效应模型生成、不同工艺角电路仿真。该方法的理论基础是晶体总剂量辐射损伤与工艺波动参数相关，总剂量辐射效应与工艺波动存在耦合效应。该方法的优势在于考虑总剂量效应与工艺波动耦合，准确仿真辐射环境工作集成电路特性。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：集成芯片及其装置;以及制备微米级分散体的方法
南京工业大学npj Flexible Electronics（《柔性电子（英文）》）入选2023年《科技期刊世界影响力指数（WJCI）报告》Q1区（图）
npj Flexible Electronics 柔性电子 WJCI
2024/4/15
近日，由中国科协牵头，中国科学技术信息研究所、《中国学术期刊（光盘版）》电子杂志社有限公司、清华大学图书馆、万方数据有限公司、中国高校科技期刊研究会和中国科学技术期刊编辑学会联合研发的《科技期刊世界影响力指数（WJCI）报告》2023年版正式发布。
中国科学院深圳先进技术研究院专利：高通量微流控细胞芯片
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 高通量 微流控 细胞芯片
2023/12/6
中国科学院深圳先进技术研究院专利：高通量微流控细胞芯片
中国科学院深圳先进技术研究院专利：基于人体信道的通信芯片
中国科学院深圳先进技术研究院 专利 人体信道 通信芯片
2023/12/6
中国科学院深圳先进技术研究院专利：基于人体信道的通信芯片
江苏省柔性电子重点实验室2023年学术委员会会议顺利召开（图）
江苏省 柔性电子 学术委员会 重点实验室
2024/4/15
2023年11月30日，江苏省柔性电子重点实验室（全国重点实验室培育建设点）2023年学术委员会会议顺利召开。本届学术委员会由东南大学崔铁军院士担任主任，复旦大学彭慧胜院士、山西大学贾锁堂教授、常州大学王建浦教授和瑞典林雪平大学高峰教授担任副主任，黄维、李树深、郝跃、黄如、郭万林、周济、刘益春、张荣、刘小钢等院士担任学术委员会顾问，陈军、俞书宏、张跃、张华、冷劲松、马於光、胡事民等院士和专家担任学...
