搜索结果: 1-5 共查到“电子元件与器件技术 SOI”相关记录5条 . 查询时间(0.062 秒)
一种改进的2×2 SOI Mach-Zehnder热光开关
热光开关 多模干涉耦合器 SOI
2009/3/3
本文设计并制作了基于强限制多模干涉耦合器的2×2 SOI马赫-曾德热光开关.这种光开关采用了深刻蚀结构的多模干涉耦合器和输入/输出波导,较大地提高了干涉耦合器的性能并减少了连接耦合损耗.同时,在调制臂区域采用浅刻蚀结构,保持其单模调制状态.深刻蚀多模干涉耦合器具有优越的特性,在实验中测得不均衡度只有0.03 dB,插入损耗－0.6 dB.基于这种耦合器的新型热光开关,其插入损耗为－6.8 dB,其...
电离辐射中SOI MOSFETs的背栅异常kink效应研究
X射线 SOI MOSFETs
2008/10/20
采用10keV X射线研究了部分耗尽SOI MOSFETs的总剂量辐射效应. 实验结果显示，在整个辐射剂量范围内，前栅特性保持良好；而nMOSFET和pMOSFET的背栅对数Id-Vg2曲线中同时出现了异常kink效应. 分析表明电离辐射在埋氧/顶层硅（BOX/SOI）界面处产生的界面态陷阱是导致异常kink效应产生的原因. 基于MEDICI的二维器件模拟结果进一步验证了这个结论.
全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型
全耗尽SOI MOSFETs 电势 阈值电压
2008/10/7
提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型. 基于近似的抛物线电势分布模型，利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解. 同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型. 该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系，同时还近似地探讨了短沟道效应. 为了进一步验证模型的正确性，利用SILVACO ATAS软件进行了相应的模拟. 结果表明，模型计算与软件模拟吻...
DRT MC SOI LIGBT 器件新结构的可实现性初探
2007/7/28
期刊信息
篇名
DRT MC SOI LIGBT 器件新结构的可实现性初探
语种
中文
撰写或编译
作者
张海鹏,邱晓军,沈世龙,胡晓萍,许明恩,龚芳萍,徐文杰,万泉
第一作者单位
刊物名称
中国科技论文在线
页面
1-4
出版日期
2005年
7月
日
文章标识(ISSN)
相关项目
新结构SOI LIGBT器件的基础研究
Analysis on SOI(Silicon-on-Insulator)-based MMICs(Multimode Interference Couplers) with different thickness of upper Silicon layer
SOI MMICs thickness Silicon layer MMI
2010/7/16
It is compared with each other that MMIs made of SOI wafers with different thickness of upper Si layer have different properties. MMI coupler made of SOI wafers with thinner Si layer has better self-i...