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据IC Insight的2011年IC Market Drivers最新版本(11月公布)，全球智能手机芯片市场在2010-2014年的年均增长率CAGR达到20%。
2010年NAND闪存营收将创新纪录（图）
NAND闪存 营收 纪录
2011/10/31
预计2010年NAND闪存营业收入将达到187亿美元，比去年的135亿美元劲增38%，部分利益于智能手机和苹果iPad等消费电子产品的使用量增加。由于今年下半年和明年供需双双增长，2011年NAND闪存市场将继续增长，尽管不及今年强劲。
美光NAND产品获HLDS全球首款具有板载储存的混合光驱采用.doc（图）
HLDS 全球 储存 混合光驱
2011/10/31
美光科技 (Micron Technology) 10 月27日宣布，美光获奖的25nm NAND 已获日立LG数据储存公司 (Hitachi-LG Data Storage Inc. 简称 HLDS) 采用作为其新型混合光驱 (ODD) 的闪存解决方案。此款采用美光 25nm NAND 技术的新型 HLDS Hybrid Drive 提供高容量储存和可修改功能，是针对个人计算机、DVD 播放器和...
传东芝投资22亿美元扩大NAND闪存产能
投资 扩大 闪存 产能
2011/11/3
国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元（约合22亿美元）扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
产综研联合东京大学研制出采用强电介质NAND闪存单元
电介质 闪存单元 晶体管
2011/11/3
日本产业技术综合研究所（产综研）与东京大学，联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。而此前的NAND闪存存储单元只能擦写1万次，且写入电压为20V。以往的NAND闪存只能微细化到30nm左右，而此次的存储单元技术还可以支持将来的20nm...
苹果欲下单亚洲代工厂 NAND型闪存大厂纷纷示好
亚洲 闪存 订单
2011/11/1
近期传出苹果(Apple)已向亚洲代工厂下订单，计划订制1,000万支升级版iPhone，下载速度较目前版本更快，在苹果订单激励下，包括三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)等NAND型闪存(Flash)大厂频打出苹果(Apple)牌，企图用苹果已开始采购NAND Flash为由让跌价止住，然下游厂认为，苹果和NAND Flash厂将于4月进行大规模议价，但目前供...
东芝将开发采用43纳米CMOS工艺技术的16Gb NAND闪存（图）
开发 纳米 工艺技术 闪存
2011/11/1
东京东芝株式会社为了巩固其在功能强大、高密度NAND闪存开发和制造领域的领先地位，于今日宣布成功开发出专用于16Gb NAND闪存芯片的技术，这款闪存采用43纳米工艺技术制造，这种技术是与美国加利福尼亚州米尔皮塔斯市的SanDisk公司共同开发的。这种新型芯片技术已于2月6日在旧金山举行的2008年度国际固态电路大会（ISSCC）23.6讨论会上进行过详细报告。