搜索结果: 1-13 共查到“电子技术 DRAM”相关记录13条 . 查询时间(0.093 秒)
中国科学院微电子所在CAA结构的3D DRAM研究领域取得重要进展（图）
结构 器件 晶体管
2024/2/28
DRAM是存储器领域最重要的分支之一。随着尺寸微缩，1T1C结构DRAM的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩挑战。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望克服1T1C-DRAM的微缩挑战，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但现阶段研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，...
中国科学院微电子所在CAA新结构的3D DRAM研究取得创新进展（图）
晶体管 平面结构 器件堆叠
2023/8/21
随着尺寸的不断微缩，1T1C结构动态随机存储器（DRAM）的存储电容限制问题愈发显著，导致传统1T1C-DRAM面临微缩瓶颈。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C-DRAM有望突破1T1C-DRAM的微缩瓶颈，在3D DRAM方面发挥更大的优势。但目前的研究工作都基于平面结构的IGZO器件，形成的2T0C单元尺寸（大约20F2）比相同特征尺寸下的1T1C单元尺寸（6F2）大很多，使IGZO-D...
中国科学院微电子所在2T0C DRAM研究取得创新进展（图）
铟镓锌氧 晶体管 电路控制
2023/8/21
动态随机存储器（DRAM）是存储器领域中的一个重要分支。基于铟镓锌氧（IGZO）晶体管的2T0C无电容DRAM，有望突破传统1T1C-DRAM的微缩限制、高刷新率等问题。但相比传统的1T1C结构，2T0C-DRAM仍存在诸多挑战：由于其读字线与写字线位于读晶体管的源漏端，存在潜在的电流分享路径，不利于读写操作；两条独立的读/写位线使得电路布局布线更复杂，需要更复杂的外围电路控制读写；在阵列级的DR...
据IC Insight的2011年IC Market Drivers最新版本(11月公布)，全球智能手机芯片市场在2010-2014年的年均增长率CAGR达到20%。
三星将大批量生产30纳米DDR3 DRAM内存芯片
批量 纳米 内存芯片
2011/11/3
据国外媒体报道，全球最大的内存芯片厂商三星电子周一称，30纳米DDR3 DRAM内存芯片已经适合消费者使用，准备应用到产品中。
台塑集团加码DRAM产业：明年资本支出将超135亿
DRAM 资本 支出
2011/11/1
2009年10月22日早间消息，据台湾媒体报道，台塑集团集中火力发展DRAM(动态随机存储器)产业，旗下南科、华亚科明年资本支出总和将达640亿元新台币(约合135.3亿人民币)，约是今年260亿元新台币(约合54.96亿人民币)的2.5倍，成为台湾明年资本支出第二大的半导体业者，仅次于台积电。半导体大厂加码投资，预示科技业升温。
台系内存厂：DRAM产业最差时已过 价格有机会反弹
DRAM 价格 反弹
2011/11/4
存储器模块大厂创见董事长束崇万24日表示，DRAM产业最差的时候已经过去，现在是各家DRAM厂该握手言和的时候了。DRAM厂最好你休5天、我休5天，大家多放点假，才能扩大减产幅度，DRAM价格才有机会反弹。
日前，全球内存领导生产商奇梦达公司与专精于高速内存架构的全球领先的技术授权公司Rambus Inc. 共同宣布奇梦达已开始为PLAYSTATION®3（PS3™）计算机娱乐系统量产出货XDR DRAM。
DRAM厂亏损将超过营收 惨况史无前例 （图）
亏损 营收 史无前例
2011/11/1
台系DRAM厂力晶、茂德等2008年第1季亏损金额恐将首度超过当季营收，创下半导体产业首例，至于南亚科亏损金额与营收间差距亦将缩小。半导体业者表示，即便在2001年全球DRAM市场非常不景气时，这种亏损超过营收情况亦未曾发生，但2008年第1季对于台系DRAM厂而言，恐将面临“做愈多、赔愈多”窘境，DRAM厂营运出现史无前例的惨况。
NEC电子近日开发出40nm工艺DRAM混载流程
电子 开发 工艺 流程
2011/11/1
NEC电子开发出了40nm工艺DRAM混载流程。将DRAM的单元面积缩小到了0.06μm2，与55nm工艺产品相比约为后者的1/2。这样即使是混载256Mbit的DRAM，仍可减小晶片的面积。虽然在55nm工艺条件下也可进行256Mbit的混载，但存在着晶片面积大，用途受限等问题。
Hynix发表高效率1Gb GDDR5绘图DRAM
效率 绘图
2011/11/1
海力士半导体(Hynix Semiconductor)宣布推出1Gb GDDR5绘图DRAM，工作频宽为5Gbps，32位元I/O通道，数据处理速率20GB/s，适合高画质视讯、影像处理应用。海力士表示，GDDR5预计将在2008下半年取代GDDR3，主导绘图DRAM市场。海力士并计划2008上半年开始大规模量产GDDR5，以满足对高性能绘图DRAM日益成长的需求。
海力士预计明年DRAM出货量将增长50-60%
海力士 DRAM 出货量 增长
2011/11/1
韩国海力士半导体近日表示，预计2008年动态随机存取存储器（DRAM）芯片出货量将增长50-60%。 海力士预估，2008年NAND快闪存储器出货量将较今年激增110-120%。同时，该公司预计第四季度NAND快闪存储器价格将温和下跌。该公司同时指出，2008年计划投资约4万亿韩元，略低于2007年4.4万亿的资本支出。
韩国60纳米DRAM内存明年将量产
韩国Hynix公司 纳米工艺 DRAM芯片
2006/12/21
据国外媒体2006年12月20日报道，韩国Hynix公司近日发布了基于60纳米工艺制造的高容量内存模块和系列产品，即1GB DDR2 DRAM芯片。新内存适用于高密度DRAM组件和诸如显卡和手机DRAM芯片这类高性能产品。韩国芯片制造商称，公司将在2007年年上半年进行新内存的商业化生产。