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近年来,无机钙钛矿材料在太阳能电池,发光器件,光探测,激光器件等信息和能源等领域应用潜力引起了国内外广泛关注。与传统 Si III-V 半导体器件相比,无机钙钛矿材料生长和器件制作具有过程简单,且不需要高温和高真空制备环境等优点。作为三元无机钙钛矿材料体系中为数不多的宽禁带半导体,CsPbCl3钙钛矿具有带隙宽(3.1 eV),激子结合能高,优异的室温稳定性,载流子的迁移率高、扩散距离长等优点...

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