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MOCVD装置是当今国际上，用于生长半导体单晶薄膜的先进设备。它广泛应用于制备航天太阳能电池，半导体激光器，光电阴极，发光管，微电子器件和各种量子阱结构材料。该装置利用了自己的专利技术制作成低压、气动旋转衬底座反应室，使得该装置拥有自主知识产权。该装置填补了国内卧式MOCVD反应室衬底旋转技术的空白，总体水平达到了国际上90年代同类产品的先进水平。为我国MOCVD技术发展，特别是MOCVD装置的制...
Cornell engineers and materials scientists have added a state-of-the-art tool to their suite of laboratory equipment that has helped make the university a world leader in the study of gallium oxide, a...
第十三届全国金属有机化学气相淀积( MOCVD )学术会议
第十三届 全国金属有机化学气相淀积 学术会议
2013/11/1
金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术自二十世纪六十年代提出以来，取得了飞速进步，目前已经在氮化物、砷化物、磷化物、碲化物和氧化物等重要半导体材料及其量子结构的制备上得到广泛应用，极大地推动了光电子器件和电子器件的发展和产业化，也成为半导体超晶格、量子阱、量子线、量子点结构材料与器件研究的关键技术。未来MOCVD技术的发展将会给化合物半导体科学技术和产业发展带来更为广阔的前景。
2012年9月21日，江西省“2011协同创新中心”授牌仪式在南昌举行。朱虹副省长为10个首批江西省“2011协同创新中心”授牌。其中，由我校牵头组建的江西省MOCVD装备与工艺2011协同创新中心位列其中。谢明勇副校长出席会议。
在中国科学院和广东省共同支持下，由中科院半导体研究所负责研制开发的国内首台48片MOCVD样机取得重大进展。
不同氧气分压下的MOCVD法氧化锌薄膜生长
氧化锌 薄膜 MOCVD
2014/3/27
采用金属有机化学气相沉积方法,在不同氧气分压下,对硅衬底氧化锌薄膜材料生长做了研究。X-射线衍射方法对氧化锌薄膜的结晶质量做了比对测试。测试结果表明薄膜是沿着(002)方向生长。利用光荧光谱测试分析,对薄膜的发光特性做了研究,研究发现随着氧气分压增大,薄膜的紫外发光峰增强。通过原子力显微镜测试,对薄膜的表面形貌做了观察,发现结晶颗粒的平均粗糙度、均方根,以及平均直径随着氧气分压的增大呈现逐渐变小的...
第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开
第十一届 MOCVD 苏州
2010/1/25
2010年1月13-14日，由中国有色金属学会主办，中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟、苏州市吴中区人民政府和苏州吴中经济开发区联合承办的第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开。来自高等院校、科研机构、相关企业等150余家单位的350余位代表出席了本次会议，其中13家企业在会议举办期间做了现场展示。
第十一届全国MOCVD学术会议在苏州召开（图）
第十一届 MOCVD 学术会议
2010/1/25
2010年1月13日至14日，由中国有色金属学会主办，中国科学院半导体研究所、国家半导体照明工程研发及产业联盟、苏州市吴中区人民政府和苏州吴中经济开发区联合承办的第十一届全国MOCVD学术会议在苏州隆重召开。来自高等院校、科研机构、相关企业等150余家单位的350余位代表出席了本次会议，其中13家企业在会议举办期间做了现场展示。
于2010年1月13日-14日由中国有色金属学会主办的第十一届全国MOCVD学术会议将在苏州举行,会议宗旨,交流金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果；探讨目前存在的问题和今后的主要发展方向；进一步加快我国MOCVD技术创新及该技术的推广应用。
MOCVD反应器中流场和热场的数值研究
晶体外延生长 MOCVD反应器 输运过程 热流场
2013/9/16
利用二维动力学模型, 通过变化MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) 反应器的进气流量、操作压力、衬底温度、基座旋转等几个重要工艺控制参数, 计算了反应器内部均匀的流场和热场分布的形态变化, 描述了输运过程中产生的多种流动现象, 并给出了相应的分析与说明. 在此基础上, 通过微扰反应器的进气量, 计算并图形化了质量输运过程的瞬态行为, 分析了...
第十一届全国MOCVD学术会议由中国有色金属学主办于2010年1月12日-15日在苏州举办,会议旨在展示我国在金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术领域研发的新理论、新进展，及其在材料应用领域的新动态、新成果，为我国从事MOCVD技术研发以及相关材料和器件研究的科研人员提供相互了解和交流的机会，探讨目前存在的问题和以后的主要发展方向，促进与MOCVD相关上中下游产业界的沟通与合作，进一步加快我国M...
低压MOCVD生长参量对Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料表面形貌的影响
超晶格 界面层 表面形貌
2009/9/17
采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备，在（100）面GaSb单晶衬底上生长了Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料.利用双晶X射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段对材料特性进行了表征，获得了表面光亮的晶体质量较好的Ⅱ型InAs/GaSb超晶格材料，在77 K下得到光致发光谱峰值波长为3.25 μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影响，得出生长温度在500 ℃~520 ...
基于Fuzzy-PID的MOCVD温度控制方法
MOCVD 温度控制 模糊PID控制
2009/6/5
针对MOCVD系统反应室温度的特性和对温度控制的要求，提出了一种基于Fuzzy-PID的温度控制方案，即利用模糊控制求得归一化的PID参数变化系数，从而实现PID参数的在线自调整．与Smith预估控制相比，Fuzzy-PID具有更好的控制效果，较好地解决了系统中存在的“非线性”、“大滞后”、“物理模型不精确”等问题，满足MOCVD控制系统温度控制要求．