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多孔硅的I-V特性及NO2气敏特性研究
多孔硅 孔隙率 I-V特性 NO2气敏特性
2014/5/7
采用双槽电化学腐蚀法在p+单晶硅表面制备多孔硅层，然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极，制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌，研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向I-V特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明，多孔硅的横向I-V特性表现出非整流的欧姆接触；多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90mA/cm2，腐蚀时间为30...
摘要 用半经典模型研究NO2^-/NO2体系自交换电子转移的反应机理和速率常数, 探讨了外电场对反应过程势能面, 反应能垒及电子转移速率常数的影响, 确定了能垒崩溃的阈值; 讨论了低能垒条件下电子转移反应的速率常数随温度变化的特征。研究表明, 一定方向的外电场能显著降低电子转移反应的活化能垒并提高反应速率常数k, 而对非绝热电子转移反应, 当温度T和活能能垒Ec满足T=2Ec/R时, k取得极大值...