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GaAs/AlGaAs量子阱热红外上转换焦平面材料研究。
采用热化学气相沉积的方法在选择性液相外延方法制备的GaAs微尖上生长碳纳米管。利用扫描电子显微镜以及拉曼光谱对生长的碳纳米管进行表征。结果表明:GaAs微尖在高温下重新结晶成条状梯形GaAs阵列,生长的碳纳米管连接在相邻的GaAs阵列之间,形态规整,具有较好的石墨微晶结构。在此基础上,提出在微尖上生长纳米管的模型,为实现微纳器件互联提供了一种新方法。
残余应力对开关梁的力学特性有着重要的影响。梁的弹性系数k由梁的形状和材料特性(杨氏模量和残余应力)来决定。应力梯度会使悬臂梁发生卷曲,对k也会产生影响。由残余应力引起的梁的长度变化量在微米级别,一般实验仪器难于测量。基于GaAs基和Si基的器件残余应力不同,相应的测试结构需重新设计。为了克服这些问题,本论文重新模拟并优化了微旋转式残余应变测试结构,尽量简化对测试仪器的要求。本文使用Intellis...
用密度矩阵理论分析了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱和双量子阱的光吸收谱.分析表明:在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带,这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.
A novel method for the direct correlation at the nanoscale of structural and optical properties of single GaAs nanowires is reported. Nanowires consisting of 100% wurtzite and nanowires presenting zi...
The effect of an electric field on spin precession in In0.5Ga0.5As/GaAs self-assembled quantum dots is calculated using multiband real-space envelope-function theory. The dependence of the Land´...
We present full atomistic calculations of the spin-flip time (T1) of electrons and holes mediated by acoustic phonons in self-assembled In1−xGaxAs/GaAs quantum dots at zero magnetic field. At lo...
We report here on a local spin valve effect observed unambiguously in lateral all-semiconductor all-electrical spin injection devices, employing p+−(Ga,Mn)As/n+−GaAs Esaki diode structure...
We report on the study of the linear and circular magneto-gyrotropic photogalvanic effect (MPGE)in GaAs/AlGaAs quantum well structures. Using the fact that in such structures the Land´e-factor g...
We investigate half-metallicity in [001] stacked (CrAs)n/(GaAs)n heterostructures with n ≤ 3 by means of a combined many-body and electronic structure calculation. Interface states in the presence o...
Semiconductor quantum dots have been a subject of intensive investigation over last two decades. One reason is the proposal [1] to use spin state of electron in a quantum dot as a quantum bit of inf...
In this work we report on a comparison of some theoretical models usually used to fit the dependence on temperature of the fundamental energy gap of semiconductor materials. We used in our investigati...
为定量研究变掺杂结构对阴极量子效率的作用效果,设计生长了两种不同掺杂方式的反射式梯度掺杂GaAs光电阴极,激活后测量了两者的光谱响应曲线。将光谱响应曲线转换为对应的量子效率曲线,对不同入射光波段的量子效率进行了拟合分析,得到了体现变掺杂结构贡献程度的变掺杂系数K值。研究发现,同一阴极材料对不同波段的入射光,其掺杂结构产生的作用效果各不相同。同时,不同掺杂结构光电阴极对于相同波段范围内的入射光,其作...
本文介绍用正电子湮没寿命和多普勒加宽技术研究750—950°掺Te液相外延生长的和1238℃熔体生长的GaAs晶体生长缺陷. 在800—1238℃生长的晶体中都观测到312±11ps的寿命组分τ2, 其强度I2, 多普勒加宽S参加和按捕获模型计算的平均寿命τ都随晶体生长温度增高而增大. 在掺Te外延晶体中, 312ps寿命的正电子陷阱浓度随晶体生长温度增高而线性地增大, 在熔体生长晶体中, 该陷阱...
Displacement damage dose is applied to analyze the irradiation effects of 2 MeV carbon ions and 0.28~20 MeV protons on homemade GaAs/Ge solar cells. The NIEL for each ion is modified by taking into a...

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