搜索结果: 1-5 共查到“物理学 MOCVD”相关记录5条 . 查询时间(0.062 秒)
采用金属有机化合物化学气相沉积（MOCVD）方法制备了不同Al组分（x=0.19，0.22，0.25，0.32）的AlxGa1-xN/AlN/GaN 结构的高电子迁移率晶体管（HEMT）材料。研究了AlxGa1-xN势垒层中Al组分对HEMT材料电学性质和结构性质的影响。研究结果表明，在一定的Al组分范围内，二维电子气（2DEG）浓度和迁移率随着Al组分的升高而增大。然而，过高的Al组分导致HEM...
N极性GaN薄膜的MOCVD外延生长
氮化镓 氮极性 成核层 金属有机物化学气相沉积
2013/11/30
采用MOCVD技术在c面蓝宝石衬底上外延制备了N极性GaN薄膜。通过KOH腐蚀的方法判定了GaN外延薄膜的极性。通过X射线双晶衍射(XRD)摇摆曲线和光致荧光(PL)谱测试研究了成核层生长时间对N极性GaN薄膜晶体质量和发光性能的影响。研究结果表明,成核层生长时间为300 s时,N极性GaN薄膜样品的位错密度最低,发光性能最好。采用拉曼(Raman)光谱对样品的应变状态进行了分析。
Properties of recent IBAD-MOCVD Coated Conductors relevant to their high field, low temperature magnet use
Properties high field, low temperature magnet use
2010/11/18
BaZrO3 (BZO) nanorods are now incorporated into production IBAD-MOCVD coated conductors. Here we compare several examples of both BZO-free and BZO-containing coated conductors using critical current (...
Effect of buffer layer thickness and epilayer growth temperature on crystalline quality of InAs0.9Sb0.1 grown by MOCVD
InAs0.9Sb0.1 MOCVD Two-step growth method
2011/12/15
InAs0.9Sb0.1 epilayers are grown on GaAs (001) substrates by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). In order to relax compressive strain caused by lattice mismatch between InAs0.9Sb0.1 and G...
应变量子阱传输矩阵法设计及MOCVD外延设备
2007/7/28
专著信息
书名
应变量子阱传输矩阵法设计及MOCVD外延设备
语种
中文
撰写或编译
作者
盖红星,邓军,李建军,韩军,俞波,牛南辉,沈光地,陈建新
第一作者单位
出版社
固体电子学研究与进展, 24(4), 526, 2004
出版地
出版日期
2004年
月
日
标准书号
介质类型
页数
字数
开本
相关项目
新型可调谐高效多源纵向光耦合垂直腔面发射激光器研制